先端半導体を支える表面処理（めっき）技術には、高品質と高信頼が常に求められる。
日本のめっき技術は、ノウハウの塊であるとともにナノレベルの解析を伴って世界をリードし続けている。
本講演では、筆者が関わってきためっき技術評価の幾つかを振り返り、材料とめっき技術の奥深さを紹介する。

目的の物性を有する表面処理皮膜を設計する際、有力な皮膜構造情報を与えてきた表面分析法や電顕法も、日々進歩している。
例えば、極低加速加速電圧SEM-EDXによる数nm程度の厚さの表面層の分布解析やSTEM-EELSによるサブnmで狙った界面の状態解析が可能になった。
マクロ物性評価法も、実構造物の亜鉛めっきの減量の計測から腐食の実態が把握できるようになったし、
加熱による発生する樹脂/金属界面のひずみも評価できるようになった。
これら新しい評価技術・構造解析法を紹介する。

メッキ層の微細構造解析では、透過電子顕微鏡（TEM）が中心的な役割を果たす。
TEMは、高分解能での組織観察、結晶構造解析、元素分析を可能にし、
メッキ／地鉄界面などの界面構造、欠陥や異物などを詳細に評価できる。
さらに、走査電子顕微鏡による表面形態観察やX線光電子分光法による化学状態分析などをTEMと組み合わせた複合的物理分析が、
メッキ層の性能向上や不具合の原因究明に貢献する。
本発表ではTEMを中心にメッキ解析に有効な物理解析技術を紹介する。