| 日 時 | 令和5年6月16日（金） 13：30～16：50 | |||||||||||||
| 開催方法 |
(地独)大阪産業技術研究所森之宮センター 3F大講堂 ならびに、Zoomによるオンライン配信 |
|||||||||||||
| プログラム |
開会の挨拶
中村 知彦 （表面技術協会 関西支部 支部長）
|
|||||||||||||
|
(1) 新しい酸化物の話：合成が難しい化合物をパワー半導体に応用する
13：35～15：05
立命館大学 総合科学技術研究機構 教授 金子 健太郎 氏
前半は、現在次世代のパワー半導体材料として注目されている、
準安定相α型酸化ガリウム(α-Ga2O3)やp型伝導を示す酸化イリジウム(α-Ir2O3)の合成手法とデバイス応用についてお話をします。 後半は、最近注目を集め始めているパワー半導体材料である二酸化ゲルマニウム(GeO2)薄膜の結晶成長手法と、 そのポテンシャルについて講演する予定です。 |
||||||||||||||
|
(2) 金属酸化物の”ある”創り方：水の中から酸化物材料・ナノ構造体・素子を創る
15：20～16：50
豊橋技術科学大学大学院 工学研究科 機械工学専攻 教授 伊﨑 昌伸 氏
金属酸化物膜は、優れた光学的・電気的・磁気的性質から多種多様な機能性薄膜として活用され、
気相や溶相を用いた種々の方法によって作成することができる。 演者が検討してきた酸化物膜の水溶液電気化学反応を用いた”ある“直接形成方法について、研究開発の背景や端緒、 プロセスの熱力学設計と材料系の展開と限界、さらにナノ構造体や太陽光エネルギー変換素子などの半導体素子への展開について、 実例を引きながら概説する。 |
||||||||||||||
| 参加費 |
|
|||||||||||||
| 定 員 | 会場 80名、オンライン 100名（先着順、定員に達し次第締切） | |||||||||||||
| 申込締め切り | 令和5年6月12日（月） | |||||||||||||
| 申込方法 |
参加ご希望の方は、こちらよりお申込み下さい。 (推奨) あるいは、FAXにて下記宛に送付下さい。 ※参加申し込み受付後、振込先をお知らせします。 現地参加の方も事前のお振込をお願いいたします。 |
|||||||||||||
| 申込・問合せ先 |
(一社)表面技術協会 関西支部 事務局 （担当：石川・森） 〒606-0805 京都市左京区下鴨森本町15番地 (一財)生産開発科学研究所内 TEL：075-781-1107 FAX：075-791-7659 E-mail：  |
|||||||||||||