「優秀ポスター賞受賞にあたって」
豊橋技術科学大学　生産システム工学専攻
草野　雄也

第11回関西表面技術フォーラムにおいて、「化学溶液析出法を用いたＺｎＯ系薄
膜の形成」というタイトルで発表をさせていただき、ポスター賞を頂く運びとな
りました。思いも寄らない受賞であり、大変名誉なことと感じると同時に恐縮し
ています。
今回のフォーラムでは、新しいワイドギャップ・バッファ層として禁制帯幅の制
御が可能なＺｎＯ系薄膜について報告をいたしました。CIGS 系薄膜太陽電池に
おいては、バッファ層が極めて重要な役割を担っています。ヘテロ接合における
バンド不整合の観点から、光吸収層材料との間で適切な値を有するワイドギャッ
プ・バッファ材料が必要であると考えられています。したがって、現在用いられ
ているCdS よりも禁制帯幅の広いバッファ層が必要となります。さらに、バンド
オフセットが最適となる禁制帯幅に調整する必要があります。今回報告をさせて
いただいた、バンドエンジニアリングが可能なＺｎＯ系薄膜を用いればＣＩＧＳ
太陽電池の性能をさらに向上させることが可能だと考えられます。今後は薄膜の
さらなる最適化を行い、ＣＩＧＳ太陽電池の性能向上を目指していきます。
発表中、多くの先生方や企業の方がポスターの前に来ていただき、本当に緊張し
た発表になりましたが、とても有益な議論ができたのではないかと思っていま
す。活躍されている研究者の方々と直接お話ができ、自分自身の研究について更
なる理解を得ることができました。
この喜びを励みとして、今後の研究に邁進していきたいと思います。そして今回
の研究においてご指導を賜った諸先生方、またお力を貸していただいた産業技術
総合研究所 太陽光発電研究センター化合物薄膜チームの方々をはじめ、大阪市
立工業研究所の皆様にこの場を借りて心より感謝いたします。ありがとうござい
ました。